的制备机械剥离法加热SiC法是制备石墨烯的典型方法

的制备机械剥离法、加热SiC法是制备石墨烯的典型方法但这些方法制备的样品存在一定缺陷不能反映理想石墨烯的本征物性。随着对石墨烯研究的不断深入近年来新的制备方法不断涌现主要有以下几种外延生长法是利用生长基质的结构种出石墨烯。Pan等以含碳的钌单晶在超高真空环境下高温退火处理使元素向晶体表面偏析形成外延单层石墨烯薄膜通过优化生长条件获得了理想的毫米级外延石墨烯二维单晶材料。低能电子衍射结果证实了石墨烯样品毫米级的高度有序性。这种高质量石墨烯的获得为石墨烯基础问题的深入研究及其进一步在器件方面的应用提供了一种新方法和理想体系。但采用这种方法生产的石墨烯薄片往往厚度不均匀且石墨烯和基质之间的粘合会影响

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