Dai小组使用从半导体工业借鉴过来的蚀刻技术切开纳米

Dai小组使用从半导体工业借鉴过来的蚀刻技术切开纳米管他们将nm的MCNTs沉积在Si沉底上利用旋转喷涂技术在MCNTs表面涂覆一层nm厚的聚甲基丙烯酸甲酯PMMA薄膜接着使用经过电离的氩气来蚀刻每个纳米管的每一个条带由于刻蚀时间不同可获得不同层数的GRNs最后利用丙酮蒸气去除PMMA并于forall下煅烧min去除剩余的聚合物从而得到nm的GRNs。James小组则使用高锰酸钾和硫酸的混合物在比较温和的条件下沿着一个轴心打开纳米管他们得到的丝带要宽一些大约为nm。这些丝带虽不是半导体但更容易大规模制造。James相信他的丝带能用来制造太阳能电池板、可弯曲的触摸显示屏还能够制成轻薄、导电的纤维

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